Infineon hat bekannt gegeben, dass es dem Unternehmen gelungen ist, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht. Dieser Durchbruch wird dazu beitragen, den Markt für GaN-basierte Leistungshalbleiter deutlich voranzubringen, da diese Technologie wesentlich effizienter als die Produktion auf 200-Millimeter-Wafern ist. Durch den größeren Wafer-Durchmesser wird die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht.
Leistungshalbleiter auf GaN-Basis finden zügige Verbreitung in den Bereichen Industrie, Automotive sowie Konsumenten-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen („Consumer, Computing & Communications“). Beispiele sind Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter sowie Motorsteuerungssysteme. Modernste GaN-Fertigungsverfahren verbessern die Leistung der Bauelemente; das ermöglicht eine höhere Effizienz, geringere Größe und Gewicht sowie niedrigere Gesamtkosten von Anwendungen der Endkunden.
GaN-Potenziale ausschöpfen
„Dieser bemerkenswerte Erfolg ist das Ergebnis unserer Innovationskraft und der engagierten Arbeit unseres globalen Teams und unterstreicht unsere Position als Innovationsführer in den Bereichen GaN und Power-Systemen“, sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. „Dieser technologische Durchbruch wird die Branche verändern und uns helfen, das volle Potenzial von Galliumnitrid zu erschließen. Weniger als ein Jahr nach der Übernahme von GaN Systems beweisen wir erneut, dass wir entschlossen sind, eine führende Rolle im schnell wachsenden GaN-Markt einzunehmen. Infineon beherrscht als führender Anbieter von Power-Systemen alle drei relevanten Materialien: Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid.“
Infineon ist es gelungen, 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion in der Power-Fab in Villach (Österreich) herzustellen. Das Unternehmen nutzt dabei seine etablierte Kompetenz in der 300-Millimeter-Silizium- und 200-Millimeter-GaN-Produktion. Infineon wird die GaN-Kapazitäten entsprechend den Marktbedürfnissen weiter ausbauen. Die 300-Millimeter-GaN-Fertigung wird Infineon in die Lage versetzen, den wachsenden GaN-Markt zu prägen, der Schätzungen zufolge bis zum Ende des Jahrzehnts mehrere Milliarden US-Dollar erreichen wird.
Infineon wird die ersten 300-Millimeter-GaN-Wafer auf der Branchenmesse electronica im November 2024 in München der Öffentlichkeit vorstellen.
Ein wesentlicher Vorteil der 300-Millimeter-GaN-Technologie besteht darin, dass sie bestehende 300-Millimeter-Fertigungsanlagen für Silizium nutzt, da sich Galliumnitrid und Silizium in den Fertigungsprozessen sehr ähnlich sind. Eine vollständig skalierte 300-Millimeter-GaN-Produktion wird dazu beitragen, dass die Kosten von GaN mit denen von Silizium in Bezug auf R DS(on)-Kennwerte gleichziehen – was Kostengleichheit für vergleichbare Si- und GaN-Produkte bedeutet.
