Die USN 1206 von Schurter bietet zweifachen Schutz für Leistungselektronik. Aufgrund der immer höheren Packungsdichte wird es immer enger und heisser. Der Trend geht dahin, möglichst viele Funktionen auf möglichst kleinem Raum in einem einzigen Modul zu integrieren. Dass solche Module gegen Überstrom abgesichert werden müssen, versteht sich von selbst. Die zunehmende Leistungsdichte bringt aber auch thermische Probleme mit sich. Hierfür braucht es neue Ansätze, um eine schleichende Gefahr durch Überhitzung zu vermeiden.
Reflow-lötbar
Die USN 1206 wurde als SMD-Temperaturschutz zur Absicherung von Leistungshalbleitern (z.B. MOS-FETs) in Automotive-Anwendungen entwickelt. Zugleich bietet sie aber auch Schutz vor Überstrom. Sie verfügt über hohe Schmelzintegralwerte (träge Charakteristik) und einen Nennstrom von 12 A bei 32 VDC. Die Sicherung besitzt eine Strom-Zeit-Kennlinie, welche sich in Abhängigkeit der Umgebungstemperatur verschiebt. Damit kann bei steigender Temperatur ein gezieltes Auslösen bei einem bestimmten Schwellwert erreicht werden. Die USN 1206 ist keine reine Thermosicherung. Sie braucht zum Auslösen einen Stromfluss. Die temperaturempfindliche SMD-Sicherung ist daher problemlos Reflow-lötbar bei 245 °C gemäss IEC 60068-2-58. Das Epoxidglas-Gehäuse macht sie dicht gegenüber Vergussmasse. Damit ist die Sicherung auch geeignet für explosionsgeschützte Anwendungen gemäss ATEX/IECEx.
Anwendungsgebiete
Die neue USN 1206 eignet sich aufgrund ihrer Bauart besonders für Automotive-Anwendungen, die höchste Zuverlässigkeit unter besonders schwierigen Bedingungen (Vibrationen, mechanische und zyklische Festigkeit, etc.) erfordern. Die Herstellung und Qualifikation der Sicherung erfolgt in Abstimmung mit dem Kunden gemäss dem Anforderungsprofil der gewünschten Zeit-Strom-Auslösekennlinie in Abhängigkeit der Umgebungstemperatur. Darüber hinaus findet sie aber auch überall dort Anwendung, wo temperaturkritische Prozesse ablaufen oder gar eine eigensichere Charakteristik gefordert ist, was in fast allen Anwendungen mit Leistungshalbleitern der Fall ist.
